|
Trên cơ sở áp dụng các tiến bộ KT như khuếch tán bazơ từ nguồn rắn BN, khuếch tán emitơ ít khuyết tật, cải tiến chế độ hợp kim nhiệt độ thấp cho tranzito NPN, tác giả XD hoàn chỉnh quy trình công nghệ chế tạo tranzito KC 507-509-quy trình chuẩn hóa cho chủng loại tranzito NPN từ phiến silic có phủ epitaxy và mặt nạ có sẵn của Tiệp phù hợp với điều kiện công nghệ sẵn có của VN. Đã tiến hành chế thử, quy trình ổn định, tỷ lệ thành phẩm trên phiến 70, sản phẩm chế tạo ra đạt tiêu chuẩn về thông số điện, độ tin cậy và thời gian sống tương đương loại dùng chíp ngoại nhập
|
