|
Silicon là vật liệu được áp dụng nhiều nhất trong các ngành công nghiệp bán dẫn. Với xu hướng ngày càng thu nhỏ, các thiết bị điện tử sẽ sớm đạt đến kích thước của các cluster nguyên tử. Vì vậy, các cluster nano silicon với tạp chất thích hợp được xem như là những vật liệu tiềm năng nhất cho các thiết bị điện tử thế hệ mới. Với việc đưa vào một tạp chất (còn gọi là hiện tượng pha tạp), các tính chất của một cluster sẽ bị thay đổi tùy thuộc vào bản chất của tạp chất đó. Nếu kiểm soát cấu trúc và các thuộc tính của một cluster bằng cách pha tạp một cách thích hợp có thể thu được các cluster với các tính chất hoàn toàn mới. Tuy nhiên, việc pha tạp là thách thức cho khoa học vì nó đòi hỏi các thí nghiệm kỹ lưỡng và các phân tích lý thuyết thích hợp. Đề tài thực hiện nhằm nghiên cứu những ảnh hưởng của một số kim loại (Al) và phi kim (P), và kim loại chuyển tiếp 3d và 4d (Sc, Ti, Cr, Co, Fe, Nb, Y, Zr) đến các cấu trúc hình học và cấu trúc điện tử của các clustersilicon. Đề tài đã tìm ra các yếu tố kiểm soát phản ứng của các kim loại chuyển tiếp trên những cluster silicon và tính toán mô phỏng những cluster mới với Li và Mg.
|
