|
Nghiên cứu và chế tạo pin năng lượng mặt trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 và Cu(In,Ga)(S,Se)2 bằng phương pháp in
/ TS. Nguyễn Duy Cường (chủ nhiệm đề tài)
, TS. Trần Đức Huy, TS. Vũ Ngọc Phan, ThS. Phạm Anh Tuân, ThS. Đặng Việt Anh Dũng, ThS. Nguyễn Xuân Quang.
- Hà Nội :
Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ (AIST)
, 2016.
- 60tr.
|
|
Phân tích sự bám dính của molybdenum với đế thủy tinh và khả năng chịu nhiệt tốt cũng như tính trơ của molybden khi được xử lý ở nhiệt độ cao trong môi trường khí selenium. Giới thiệu quy trình chế tạo các hạt nano Cu(Ga,In)S2 và Cu(Zn,Sn)S2, cũng như sự phân tán của chúng trong các dung môi khác nhau để đạt được sự ổn định cao với thời gian. Quy trình tổng hợp và tối ưu hóa lớp đệm và cửa sổ điện cực với nhiều vật liệu khác nhau. Quy trình chế tạo thiết bị pin năng lượng mặt trời sử dụng hạt nano đã tổng hợp được ở điều kiện áp suất phòng. Sự ảnh hưởng của độ kết tinh, lớp đệm, lớp cửa sổ điện cực lên các đặc tính quang điện của pin. Phát triển các màng mỏng sử dụng vật liệu hạt và sợi nano bạc kết hợp với hạt nano In-doped SnO2 cho ứng dụng trong lớp cửa sổ điện cực
|
