Nghiên cứu hiệu ứng nhân hạt tải điện trong Ge và SiGe nanô tinh thể trên nền vật liệu vùng cấm rộng / TS. Ngô Ngọc Hà (chủ nhiệm đề tài) , TS. Vũ Văn Thú, ThS. Bùi Quang Thanh, KS. Hồ Văn Chương, CN. Phạm Sơn Tùng. - Hà Nội : Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội , 2017. - 30 tr.

   Chế tạo thành công vật liệu nanô Ge và SiGe chất lượng cao nhúng trong các vật liệu nền có vùng cấm rộng hơn bằng phương pháp phún xạ catốt tần số radio, phương pháp ăn mòn hóa học và các phương pháp chế tạo thay thế khác. Nghiên cứu sự hình thành và ảnh hưởng của điều kiện biên lên cấu trúc, tính chất quang điện tử của vật liệu trên cơ sở các phép đo khảo sát vật lý khác nhau như ảnh hiển vi điện SEM/TEM, phổ raman, phổ kế nhiễu xạ tia X. Xác định hiệu ứng CM trong hạt nanô Ge và nanô SiGe sẽ bằng các phương pháp quang phổ phi tuyến khác nhau. Tiến hành các phép đo về hiệu suất lượng tử trong và ngoài, năng lượng ngưỡng cho hiệu ứng CM. Đánh giá khả năng của hiệu ứng hạt tải điện cho việc ứng dụng và phát triển pin mặt trời hiệu suất cao

Xem chi tiết

   Tìm kiếm cơ bản    Tìm kiếm nâng cao