Nghiên cứu công nghệ Spray ILGAR (Ion Layer Gas Reaction) để chế tạo các phần tử pin mặt trời màng mỏng họ Me/ZnO/CdS(InxSy)/Cu(In,Ga) (S,Se)2/Me/glass / GS.TS. Võ Thạch Sơn (chủ nhiệm đề tài) , ThS. Lưu Thị Lan Anh, ThS. Phạm Phi Hùng, TS. Trần Thanh Thái, ThS. Lê Ngọc Minh, ThS. Nguyễn Đức Hiếu. - Hà Nội` : Trường Đại học Bách khoa Hà Nội , 2013. - 155

   Tổng quan nguyên lý hoạt động của pin mặt trời, quy trình công nghệ chế tạo pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo Glass/ZnO:In/CdS/CuInS2 lắng động bằng phương pháp SPD ILGAR. Tập trung vào nghiên cứu ảnh hưởng của các thông số công nghệ đến các tính chất của lớp hấp thụ (chiều dày màng, kích thước hạt, hệ số hấp thụ. Các thông số của chuyển tiếp lớp hấp thụ/lớp đệm, khả năng tăng hiệu suất n,…). Xây dựng hệ công nghệ lắng đọng màng mỏng bằng phương pháp spray ILGAR. Nghiên cứu và làm chủ công nghệ lắng đọng phần tử pin mặt trời màng mỏng Me/ZnO/CdS(InxSy)/Cu(In,Ga)(S,Se)2/Me/glass. Nghiên cứu mô phỏng và khảo sát quá trình già hóa của cấu trúc pin mặt trời. Nghiên cứu chế tạo các tế bào mặt trời màng mỏng. Chế tạo thử nghiemj bản modul trên cơ sở các tế bào mặt trời chế tạo.

Xem chi tiết

   Tìm kiếm cơ bản    Tìm kiếm nâng cao