|
Nghiên cứu phân bố của các ô mạng sai hỏng trong hệ ôxít thủy tinh MOxSiO2 (M là Pb, Al, Mg, Ca hoặc Na)
/ PGS.TS. Nguyễn Văn Hồng (chủ nhiệm đề tài)
, TS. Mai Thị Lan, ThS. Luyện Thị San, ThS. Hoàng Việt Hưng.
- Hà Nội :
Viện Vật lý Kỹ thuật
, 2017.
- 60 tr.
|
|
Xây dựng các mô hình Mox-SiO2 chất lượng cao với kích thước từ 3000-20000 nguyên tử, sử dụng thế tương tác cặp và nhúng. Khoảng nhiệt độ khảo sát từ 300-5000K; áp suất từ 0-60 Gpa; nồng độ mol Mox thay đổi từ 10%-90%. Xây dựng các phương pháp mới để nhận dạng các vùng đặc biệt trên cơ sở phân tích đám, phân tích simplex và thăng giáng mật độ… Xác định thời gian sống và kích thước các vùng đặc biệt ở các điều kiện nhiệt độ, áp suất và nồng độ Mox khác nhau. Xây dựng các kỹ thuật trực quan hóa các vùng đặc biệt. Xác định quá trình co cụm của các ô mạng sai hỏng. Phân bố các ô mạng sai hỏng trong không gian mô hình
|
