| |
MS đề tài |
103.02-2011.42 |
| |
Số đăng ký KQ |
2015-52-438 |
| |
Tên nhiệm vụ |
Nghiên cứu tổng hợp và khảo sát tính chất Graphene diện tích lớn bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), ứng dụng cho cảm biến |
| |
Tổ chức chủ trì |
Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học và Công nghệ |
| |
Cơ quan cấp trên trực tiếp của tổ chức chủ trì |
Trường Đại học Bách khoa Hà Nội |
| |
Cơ quan chủ quản |
Bộ Giáo dục và Đào tạo |
| |
Cấp quản lý nhiệm vụ |
Quốc gia |
| |
Chủ nhiệm nhiệm vụ |
TS. Vũ Văn Quang |
| |
Cán bộ phối hợp |
PGS.TS. Mai Anh Tuấn, ThS. Nguyễn Đức Khoáng, CN. Ngô Sỹ Trọng |
| |
Lĩnh vực nghiên cứu |
21001. Các vật liệu nano (sản xuất và các tính chất) |
| |
Thời gian
bắt đầu |
12/2011 |
| |
Thời gian
kết thúc |
12/2014 |
| |
Năm viết
báo cáo |
2015 |
| |
Số trang |
7 + Phụ lục |
| |
Tóm tắt |
Chế tạo đơn lớp graphene trên đế Cu bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) và nắm bắt được công nghệ tách chuyển graphene lê các loại đế khác nhau. Nghiên cứu tính nhạy khí của đơn lớp graphene trên cơ sở tiếp xúc với dây nano SnO2. Nghiên cứu ứng dụng đơn lớp graphene trong chế tạo các tiếp xúc silicon. Chứng minh được tiếp điện trở nối tiếp của graphene đóng vai trò quan trọng trong tính chất điện và tính nhạy khí của linh kiện. |
| |
Từ khoá |
Vật liệu graphene;Graphene diện tích lớn;Tính chất;Tổng hợp;Phương pháp lắng đọng hơi hóa học;Nghiên cứu |
| |
Nơi lưu trữ |
24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội |
| |
Ký hiệu kho |
11318 |
| |
|
| |
Trạng thái |
Đã nghiệm thu |
| |
|
