| |
MS đề tài |
103.02-2014.81 |
| |
Số đăng ký KQ |
2018-53-848 |
| |
Tên nhiệm vụ |
Nghiên cứu chế tạo vật liệu perovskite vô cơ - hữu cơ ứng dụng cho lớp hấp thụ của pin mặt trời tiếp giáp dị thể |
| |
Tổ chức chủ trì |
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên |
| |
Cơ quan chủ quản |
Đại học Quốc gia Hà Nội |
| |
Cơ quan cấp kinh phí |
Quỹ Phát triển khoa học và công nghệ Quốc gia |
| |
Cấp quản lý nhiệm vụ |
Quốc gia |
| |
Chủ nhiệm nhiệm vụ |
TS. Nguyễn Trần Thuật |
| |
Cán bộ phối hợp |
TS. Bùi Văn Điệp, ThS. Nguyễn Minh Hiếu |
| |
Lĩnh vực nghiên cứu |
20599. Kỹ thuật vật liệu và luyện kim khác; |
| |
Thời gian
bắt đầu |
03/2015 |
| |
Thời gian
kết thúc |
03/2018 |
| |
Năm viết
báo cáo |
2018 |
| |
Nơi viết
báo cáo |
Hà Nội |
| |
Số trang |
80 |
| |
Tóm tắt |
Thiết lập quy trình chế tạo hóa ướt hợp chất perovskite hữu cơ halogen và ứng dụng thành công trong việc chế tạo linh kiện chuyền đồi năng lượng với hiệu suất nhất định. Tổng hợp vật liệu perovskite hữu cơ halogen và ứng dụng trong việc chế tạo pin mặt trời. Các công việc nghiên cứu liên quan đến phủ màng vật lý sử dụng quy trình phún xạ và bay hơi phản ứng được tiến hành cho mục đích so sánh với các kết quả đã công bố và thu được quy trình chế tạo tương thích công nghiệp. Thiết lập các điều kiện tổng hợp bằng phương pháp hóa ướt vật liệu CH3NH3PbI.3, CH3NH3SnI3 và so sánh với các kêt quả của các nhóm nghiên cứu khác. Nghiên cứu quy trình tổng hợp hóa ướt của vật liệu CH3NH3PbIxBr3-x và CH3NH3SnClxBr3-x và quy trình tông hợp hóa ướt của vật liệu CH3NH3Sn1-xPbxI3. Đánh giá tính chất quang học và cấu trúc của vật liệu CH3NH3PbIx3Br3-x, CH3NH3Sn1-xPbxI3, CH3NH3SnClxBr3-x và CH3NH3Sn1-xPbxI3. Nghiên cứu tối ưu điều kiện chế tạo màng mỏng TiO2 dần điện loại n trên đế thủy tinh phủ FTO; quy trình phủ màng HTM và màng kim loại cathode; quy trình chế tạo pin mặt trời dựa trên vật liệu perovskite CH3NH3PbIxBr3-x; quy trình chế tạo pin mặt trời dựa trên vật liệu perovskite CH3NH3Sn1-xPbxl3; quy trình phủ màng vật lý vật liệu perovskitc CH3NH3PbI3; quy trình phủ màng vật lý cho lớp hấp thụ perovskite CH3NH3PbI3 trong quy trình chế tạo pin mặt trời. |
| |
Từ khoá |
Vật liệu; Vật liệu perovskite vô cơ; Vật liệu perovskite hữu cơ; Pin mặt trời; Chế tạo; Lớp hấp thụ; Chế tạo |
| |
Nơi lưu trữ |
24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội |
| |
Ký hiệu kho |
15178 |
| |
|
| |
Trạng thái |
Đã nghiệm thu |
| |
|
